[发明专利]一种低氧杂质含量的单晶炉有效
| 申请号： | 202111028089.9 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113638038B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 丁俊岭;徐志辉;李宇卿;肖原;陈齐平 | 申请（专利权）人： | 华东交通大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律文知识产权代理有限公司 16189 | 代理人： | 王富强 |
| 地址： | 330013 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低炉内氧杂质的单晶炉，主要涉及起保温以及引导气流作用的导流筒。该导流筒由中心保温结构和支撑结构组成。导流筒底部到熔体的距离由内向外逐渐减小，同时导流筒底部与熔体形成通道的径向横截面积保持不变。本发明中导流筒设计，利于移除单晶炉内熔体自由液面处一氧化硅杂质气体，有效降低单晶炉内氧杂质，最终获得高质量的半导体单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低氧 杂质 含量 单晶炉 | ||
【主权项】：
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