[发明专利]双波长半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111028108.8 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115764542A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 邓秋芳;李玮淳 | 申请（专利权）人： | 中兴光电子技术有限公司;苏州洛合镭信光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 尹长斌 |
| 地址： | 210012 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双波长半导体激光器及其制备方法，双波长半导体激光器包括：第一DBR激光区，包括第一光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导；第二DBR激光区，包括第二光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导，第二光栅区设置有第二弯曲波导，第一夹角与第二夹角互不相同，第一光栅区的光栅和第二光栅区的光栅具有相同的光栅周期，第一夹角为第一弯曲波导与垂直第一光栅区的光栅方向所成的夹角，第二夹角为第二弯曲波导与垂直第二光栅区的光栅方向所成的夹角。根据本发明实施例提供的方案，通过光栅结合弯曲波导实现了等效啁啾光栅，利用弯曲波导与光栅的夹角不同增大了DBR激光区的反射谱范围，有效提高激光器的调谐范围和拍频实现的微波调谐范围。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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