[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111028757.8 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113718221A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 层数 可控 二硫化钼 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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