[发明专利]发热芯片的制备方法和发热芯片在审

专利信息
申请号: 202111031307.4 申请日: 2021-09-03
公开(公告)号: CN114040525A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 李永武;杨敏 申请(专利权)人: 光之科技(北京)有限公司
主分类号: H05B3/14 分类号: H05B3/14;H05B3/20;B32B33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100086 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提出一种发热芯片的制备方法及发热芯片。制备方法包括选取一基材,并在基材表面涂布预涂层,并将预涂层进行第一次固化;在预涂层上涂布硬化材料,以形成硬化层,并将硬化层进行第二次固化;在硬化层表面真空溅射制热材料,以形成电热转换层;将基材和电热转换层封装,形成发热芯片。本发明利用预涂层减小基材表面粗糙度,避免基材上的凸起在热压过程中对电热转换层造成破坏,硬化层防止基材因加热导致软化变形,提高制热材料与基材的结合力,从而提高发热芯片的稳定性。
搜索关键词: 发热 芯片 制备 方法
【主权项】:
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