[发明专利]基于单端电流源电阻抗断层成像的激励及测量方法在审
| 申请号： | 202111035238.4 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113866222A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 崔自强;杨朋雨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;A61B5/0536 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于单端电流源电阻抗断层成像的激励与测量方法。通常，电阻抗断层成像采用推挽式电流源结构，经由两个电极分别注入幅值相同、相位相反的正弦交流电流，并测量其他电极对之间的电压差，以反映激励与测量电极之间跨阻抗。推挽式电流源结构复杂，使用过程须进行严格校准，以避免因电流不平衡导致的共模信号增加及测量不稳定。本发明具有以下优势，采用单端电流源，电路结构简单，长时间使用无需反复校准；给出单端激励模式下的跨阻抗校准公式，可对测量值进行修正，使其最终测量精度与理想推挽激励模式的精度保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电流 阻抗 断层 成像 激励 测量方法 | ||
【主权项】：
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