[发明专利]激光解键合气体排放装置及方法在审
| 申请号： | 202111035718.0 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113851395A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张昆鹏;李纪东;张紫辰;侯煜;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种激光解键合气体排放装置，包括：解键合腔体，底部具有承载区域，所述承载区域用于在解键合过程中承载键合结构；气帘发生模块，与所述解键合腔体通过气帘发生口连通，所述气帘发生模块能通过气帘发生口向键合结构发出气帘，以覆盖所述键合结构；气体排放模块，与所述解键合腔体通过在气帘路径上的排放气道连通，以使所述气帘的气体沿所述排放气道排入所述气体排放模块。本发明能够在解键合过程中，同时采用气帘对于键合结构进行覆盖，同时，采用气体排放模块进行排放，避免了键合胶相变后对气体的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 解键合 气体 排放 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
