[发明专利]激光解键合步进补偿方法在审
| 申请号： | 202111035719.5 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113851411A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光解键合步进补偿方法，应用于叠层结构的解键合过程中，其中，叠层结构包括用键合胶键合在一起的基板和晶圆，在解键合时，采用透明吸盘吸附在基板上，方法包括：依据前一爆点位置以及前一爆点的热影响区域，确定目标位置；依据目标位置以及前一爆点的激光光路，确定当前爆点位置的基板入射位置；依据基板入射位置的吸盘厚度以及折射率，确定当前激光发生器的补偿位移；控制激光发生器依据预定的第一位移以及补偿位移移动到当前爆点的激光发生器位置。本发明能够对吸盘的不同厚度区域的折射所导致的光路偏移进行补偿，以使激光解键合过程中的爆点位置能够准确定位。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 解键合 步进 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
