[发明专利]一种抑制锂枝晶生长的复合三维金属锂负极的制备方法有效
| 申请号： | 202111036752.X | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113871585B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 师春生;张睿;赵乃勤;沙军威;刘恩佐;马丽颖;何春年 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制锂枝晶生长的复合三维金属锂负极的制备方法，包括下列步骤：1)制备纳米多孔金属箔片；2)制备三维多孔铜箔片；3)制备三维多孔铜/硫化铜复合箔片：将上一步骤制备的三维多孔铜在空气中加热到100‑300℃，保温1‑2h；冷却至室温后，将三维多孔铜放置到1‑3mol/L的硫化钠水溶液中浸渍1‑2h；将浸渍后的三维多孔铜放入到含硫化钠水溶液的水热反应釜中，在90‑120℃进行水热反应，反应时间为12‑24h；随后取出冷却，清洗并干燥后得到三维多孔铜/硫化铜箔片；4)制备三维多孔铜/硫化锂/金属锂复合金属锂负极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 锂枝晶 生长 复合 三维 金属 负极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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