[发明专利]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件在审
| 申请号： | 202111042571.8 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113725280A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。根据本发明，结构简单合理，器件背面通过P型埋层设计可将超结IGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开启 电压 rb igbt 器件 | ||
【主权项】：
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