[发明专利]一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法及电路在审
| 申请号： | 202111043307.6 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113810035A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 卢士祺;符仁德;汤忠 | 申请（专利权）人： | 深圳市福瑞电气有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08 |
| 代理公司： | 深圳市汉唐知识产权代理有限公司 44399 | 代理人： | 韦鳌 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于高压大功率场合的碳化硅MOSFET并联应用控制技术领域，公开了一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法，以不影响整组碳化硅MOSFET并联工作为前提，不改变整组开关频率的条件下，通过对其中单个个体进行间隙式的有效控制，改变该单管的PWM驱动波形，等同减小该碳化硅MOSFET管的有效持续工作时间，降低其温升，防止其热失效，从而提高产品的可靠性能。还公开了实现上述方法的控制电路。本发明在采用极简化电路结构的条件下，在多个并联碳化硅MOSFET器件一起工作时间内，相对实现了并联电路中各个单管发热均衡和工作电流的较为一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 并联 控制 方法 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市福瑞电气有限公司，未经深圳市福瑞电气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111043307.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
