[发明专利]一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法在审
| 申请号： | 202111045880.0 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113744780A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 沈灵;严慧婕;任永旭;蒋宇;温建新 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法。校准电路包括多值存储器、参考可变电阻、灵敏放大器、编程开关、读开关、电流通路模块、逻辑控制模块和非易失性存储器，灵敏放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；多值存储器的一端与编程开关连接，另一端与灵敏放大器的第一输入端连接，多值存储器的一端还与读开关连接；编程开关与读开关并联；参考可变电阻的一端与编程开关连接，另一端与灵敏放大器的第二输入端连接。利用校准电路确定各阻值对应的校准结果，校准结果即过冲阻值，在写入数据的时候，可以将参考可变电阻的阻值减去对应的过冲阻值作为目标编程阻值，这样可以消除多值存储器在编程模式下存在过冲阻值的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 校准 电路 方法 编程 | ||
【主权项】：
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