[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

摘要

一种半导体器件，包括下部结构和堆叠结构，该堆叠结构具有交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层。第一坝竖直结构穿透堆叠结构。第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域。水平层包括栅极堆叠区域中的栅极水平层和绝缘体堆叠区域中的绝缘水平层。存储器竖直结构和支撑体竖直结构穿透栅极堆叠区域。分离结构穿透栅极堆叠区域。一个分离结构包括第一侧表面、不与第一侧表面垂直的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面。连接侧表面高于栅极水平层的最上栅极水平层。