[发明专利]样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统有效

专利信息
申请号: 202111053039.6 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113502535B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 杨钢;薛聪;王庶民;董建荣 申请(专利权)人: 材料科学姑苏实验室;埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12;C30B25/02
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统。所述样品生长装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分,旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于旋转机构上的基片,旋转机构设置于旋转台上且驱动基片绕旋转台周向公转;倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与倾斜调节机构相连的分子束源炉,倾斜调节机构在基片公转的过程中调整分子束源炉的倾斜角度,使分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片。本发明的结构简单紧凑,成本较低,且装卸方便,定位精度高,生产多片样品可通过单个分子束源炉调整角度,进行喷射位置的改变,很好地保证喷射的均匀性。
搜索关键词: 样品 生长 装置 方法 分子 外延 系统
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于材料科学姑苏实验室;埃特曼(苏州)半导体技术有限公司,未经材料科学姑苏实验室;埃特曼(苏州)半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111053039.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top