[发明专利]一种接触孔及其形成方法在审
| 申请号： | 202111053105.X | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113948454A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种接触孔及其形成方法，方法包括：提供衬底，该衬底自下而上依次设有NiSi层、CESL层以及ILD层；在ILD层上形成介质层，介质层的刻蚀选择比高于ILD层；图案化介质层以形成接触孔，并且露出NiSi层上表面；去除接触孔中的刻蚀物；利用等离子体去除NiSi层上表面形成的自然氧化层；利用等离子体轰击接触孔顶部的ILD层顶角，形成具有圆角顶部的接触孔；形成覆盖接触孔和介质层上表面的TiN薄层。本发明改善了刻蚀工艺后接触孔的形貌，提高了后续钨填充的能力，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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