[发明专利]基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体有效

专利信息
申请号: 202111053173.6 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113933761B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 董浩斌;刘利苹;葛健;刘欢;罗望 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/02;G01V3/40
代理公司: 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 代理人: 吴晓茜
地址: 430000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体,包括:腔体导体、加载电容、可调电容和连接电容;腔体导体为同心圆柱体,包括内外导体;内导体为顶端封闭、底端不封闭的空心圆柱,外导体从低端至顶端设置有多个开孔,将外导体分割为多个条状,且在顶端均分成了四组,每相邻两组之间通过连接电容相连;内导体和外导体在底端直接相连形成短路;内导体和外导体在顶端通过加载电容相连形成开路;可调电容安置在内导体顶端的中心位置。本发明通过调节加载电容和可调电容可以改变腔体的谐振频率,以实现对不同激发频点的自由基溶液的有效激发;射频磁场在腔体导体内产生的涡流在外导体的条状结构下被抑制,减小了能量损耗,提高了激发效率。
搜索关键词: 基于 电容 加载 同轴 谐振腔 ovh 传感器
【主权项】:
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