[发明专利]超高纯锗单晶籽晶的制备方法在审
| 申请号： | 202111054484.4 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113737274A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/08;B24B31/02;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其包括步骤：步骤一，将单晶锗去头去尾取中间得到圆柱体，圆柱体纯度和位错较好的一头标为尾部，差的标为头部；步骤二，圆柱体和砧板一起放入切割机里；步骤三，设置切割程序，对圆柱体切割；步骤四，旋转圆柱体，重复步骤三中切割程序，得到长方条；步骤五，将长方条放入滚磨机中，滚磨后得到籽晶；步骤六，将步骤五中的籽晶腐蚀，高纯氮气吹干；步骤七，用步骤六中籽晶，提拉多晶锗料，提拉出单晶锗；然后再后面的操作中重复步骤一～步骤六进行两次提拉过程，得到超高纯锗单晶籽晶。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 锗单晶 籽晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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