[发明专利]一种CMP优化方法有效
| 申请号： | 202111058335.5 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113808934B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李朝晖;刘栋 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳器件制备技术领域，更具体地，涉及一种CMP优化方法。在样品进行CMP处理之前，先套刻一次，在目标凹陷两侧刻蚀出凹槽，具体过程为样品沉积填充材料后，进行一次套刻，包括曝光显影刻蚀，最终在实现在目标凹陷两侧有特定大小的凹槽；通过在目标波导的两侧刻蚀凹槽，通过凹槽的设计，避免了目标凹陷向样品层传递，使得对样品进行CMP处理后，样品的上表面相对平坦化，避免了传统CMP处理后凹陷传递的问题，优化了器件性能，同时获得了相对平坦的上表面，为后续能在上表面设计加工提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 优化 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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