[发明专利]一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法有效
| 申请号： | 202111059689.1 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113832303B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杨振;袁飞;施勇;沈华;俞苏徽;陶杰华;胡星鑫 | 申请（专利权）人： | 湖州盛特隆金属制品有限公司 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C19/05;C21C7/10;C21C7/00 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 郑双根 |
| 地址： | 313011 浙江省湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用哈氏合金废料冶炼超低碳超低硅哈氏合金的方法，包括以下步骤：a、EAF电炉冶炼：按质量份计，将石灰、碳球、哈氏合金废料、硅铁合金和萤石加入到EAF电炉冶炼，得A品；b、EAF电炉出钢：待A品中硅的质量百分比为0.3‑0.7％、碳的质量百分比为1.5‑2.5％后出钢，得B品；c、将B品进行真空脱气处理，使B品中的氢的质量百分比＜2ppm，氮的质量百分比＜100ppm，得C品；d、将C品加入AOD炉冶炼，冶炼温度1500‑1580℃，出钢,出钢时随钢流加入铝锭20‑80份，得D品；f、D品运行至LF炉进行精炼，得成品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 合金 废料 冶炼 超低碳超低硅哈氏 方法 | ||
【主权项】：
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