[发明专利]低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111061132.1 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113716952A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 叶雯;裴广强;王建斌;张鹏;尹阿利 | 申请（专利权）人： | 西安神电电器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;H01C7/112;H01C17/30 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明属于电阻电气元件技术领域，涉及一种低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料及其制备方法，能够改善大电流冲击后低梯度电阻片的稳定性。电阻片材料包括如下原料：ZnO：80.0～93.0wt.％，Bi |
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| 搜索关键词： | 梯度 通流 冲击 稳定性 电阻 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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