[发明专利]一种单晶硅制备方法有效
| 申请号： | 202111061608.1 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113862783B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 闫广宁;董永见;李春辉 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 史雅琪 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请涉及单晶硅技术领域，具体公开了一种单晶硅制备方法，包括以下步骤：对拆炉后的热场进行清扫和首次除杂；安装首次除杂后的热场；对安装后的热场进行二次除杂；将硅料装填到单晶炉内，然后加热融化形成硅熔体；将籽晶预热，待硅熔体达到引颈温度后将籽晶浸入硅熔体中并提拉籽晶进行引颈生长；待引颈生长结束后进行放肩和转肩，然后进入等径生长；待等径生长结束后进行收尾；待收尾结束后提断，冷却后取出单晶硅棒。通过对热场进行二次除杂，避免了热场安装后的二次污染，提升了拉制首棒(第一棒)一次成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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