[发明专利]脱气装置、基板处理装置和用于将处理溶液脱气的方法在审
| 申请号： | 202111061658.X | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114171431A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 金大城 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D19/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 侯志源 |
| 地址： | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种脱气装置、基板处理装置和用于将处理溶液脱气的方法。该脱气装置包括：溶解气体抽取喷嘴，该溶解气体抽取喷嘴从包括溶解气体的处理溶液中以气泡的形式抽取所述溶解气体；第一罐，该第一罐从处理溶液中在穿过溶解气体抽取喷嘴的情况下将抽取的所述气泡分离；和第二罐，该第二罐具有稳定化空间，在稳定化空间中，从第一罐储存处理溶液并稳定处理溶液，从该处理溶液中已经分离气泡。溶解气体抽取喷嘴配置为使得出口的直径小于中间通道的直径，以便处理溶液中的溶解气体通过空化现象以气泡的形式被抽取。 | ||
| 搜索关键词： | 脱气 装置 处理 用于 溶液 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
