[发明专利]一种碳赫兹膜及其应用有效
| 申请号： | 202111062334.8 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113800889B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 董宇 | 申请（专利权）人： | 厦门海洋芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/528;C04B35/622;H05B3/14 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 程劲竹 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳赫兹膜及其应用，本发明采用氧化铅、氧化锂、氧化锌、石墨按照特定比例组合作为配方，氧化铅、氧化锂、氧化锌可以助熔‑浸润‑烧结成膜，保证碳赫兹膜与绝缘衬底表面的结合力，石墨作为导电材料。本发明提供的碳赫兹膜配方通过调整成分配比，可实现碳赫兹陶瓷膜与绝缘衬底之间良好的热匹配，保证在冷热循环中，不发生因内应力和界面应力而造成碳赫兹膜的微观龟裂，可以适应不同材质的衬底，适用面广，利于推广。本发明适于应用在电热元件及红外辐射元件制备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门海洋芯科技有限公司，未经厦门海洋芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111062334.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
