[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111062818.2 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782684B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李卫东;李梦洁;申建汛;王力军;赵志国;秦校军;刘家梁;熊继光;刘入维;梁思超;王森 | 申请（专利权）人： | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘乐 |
| 地址： | 100036 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)将钙钛矿的前驱体溶液进行湿法制膜，得到钙钛矿湿膜；b)在步骤a)得到的钙钛矿湿膜表面喷涂纳米粉体粒子，进行固化处理，退火后得到钙钛矿薄膜；所述纳米粉体粒子的粒径为5nm～200nm。与现有技术相比，本发明提供的制备方法采用湿法成膜，并配合纳米粉体粒子获得钙钛矿薄膜，产品质量好、稳定性高；采用本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜进一步制备的钙钛矿太阳能电池中，有源层和传输层之间通过嵌入式的纳米晶/纳米线的有效接合，可以降低载流子复合，提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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