[发明专利]对位合成系统及对位合成方法在审
| 申请号： | 202111065573.9 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113937046A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王正根;张延凯;吴超进 | 申请（专利权）人： | 苏州迈为科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 徐会娟 |
| 地址： | 215200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种对位合成系统及对位合成方法，对位合成系统的移动组件用于将第一晶元单元RRR移动至激光工作模组，吸附台用于将第一晶元单元RRR吸附，并将空白的第四晶元单元WWW移动至吸附台的下方，以使得第一晶元单元RRR与第四晶元单元WWW对位合成第一中间晶元单元RWW；移动组件将第二晶元单元GGG移动至激光工作模组，吸附台将第二晶元单元GGG吸附，以使得第二晶元单元GGG与第一中间晶元单元RWW对位合成第二中间单元RGW；移动组件还用于将第三晶元单元BBB移动至激光工作模组，吸附台将第三晶元单元BBB吸附，以使第三晶元单元BBB与第二中间单元RGW对位合成LED晶元单元RGB。实现了Micro LED加工工艺中LED晶元单元的巨量转移合成过程的对位准确性和全自动化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 对位 合成 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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