[发明专利]一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法在审

专利信息
申请号: 202111066367.X 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113814799A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 佘丁顺;关芮;高武龙;宋慧慧;岳文;王青青;康嘉杰;孟德忠;任小勇;朱丽娜;唐云龙;黄西娜 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京);中国地质大学(北京)郑州研究院
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B37/11;B24B37/27;C09G1/02
代理公司: 北京优赛深闻知识产权代理有限公司 16040 代理人: 窦艳鹏
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种单晶金刚石低指数晶面的抛光方法,本发明涉及单晶金刚石低指数晶面的抛光领域。本发明要解决现有单一抛光工艺只对单一晶面进行抛光的技术问题。方法:采用“三步法”抛光工艺,综合了各种抛光技术的优点。解决了现有单一抛光工艺且只能对单一晶面进行抛光的缺点,提高了单晶金刚石的抛光效率及精度,同时也降低了对环境的污染。本发明用于单晶金刚石低指数晶面的抛光。
搜索关键词: 一种 金刚石 指数 抛光 方法
【主权项】:
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