[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111067348.9 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113871342A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 卢经文 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成凹槽以及位于相邻所述凹槽之间的有源区，所述凹槽包括第一凹槽以及位于所述第一凹槽下方、且与所述第一凹槽连通的第二凹槽，且所述第一凹槽的内径大于所述第二凹槽的内径；填充所述凹槽，于所述凹槽内形成具有空气隙的填充层。本发明降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的干扰作用，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
