[发明专利]NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备有效
| 申请号： | 202111069970.3 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113918091B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;刘晓健;王嵩;刘兴斌;胡靖予;张易 | 申请（专利权）人： | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人： | 李丽颖 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND闪存的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 物理 控制 方法 装置 ssd 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京得瑞领新科技有限公司，未经北京得瑞领新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111069970.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
