[发明专利]表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111070929.8 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113930483A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 薛冬峰;王鑫;王晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C12Q1/6825 | 分类号： | C12Q1/6825 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，提供了一种表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用，该表面等离子体共振传感器包括表面等离子体共振芯片和贵金属‑ssDNA复合物，表面等离子体共振芯片包括第一贵金属基体和结合在第一贵金属基体上的硼烯层，贵金属‑ssDNA复合物结合在表面等离子体共振芯片上，且贵金属‑ssDNA复合物包括第二贵金属基体和结合在第二贵金属基体上的ssDNA；由于该表面等离子体共振传感器具有第一贵金属‑硼烯‑第二贵金属相互耦合的表面等离子体共振效应，因此，该等离子体共振传感器具有高灵敏度，可用于检测样品的miRNA，并且具有无标记检测、可重复利用高以及成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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