[发明专利]氧化孔生成方法及垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 202111071933.6 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113809637B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郭海侠;李加伟;曼玉选;赖明智 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化孔生成方法，用于在垂直腔面发射激光器制备过程中，对主动区平台进行氧化处理以在所述主动区平台内的氧化限制层中间形成氧化孔；所述氧化处理的具体方法如下：先使用氧等离子体对主动区平台的侧壁进行干法氧化，在所述氧化限制层外缘生成一圈疏松多孔结构；然后经由所述疏松多孔结构对主动区平台的侧壁进行湿法氧化，在氧化限制层中间形成所期望的氧化孔。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。相比现有技术，本发明可在垂直腔面发射激光器制备过程中对氧化限制层的氧化进程进行更为精准的控制，同时有效减少氧化层及GaAs界面的分离或开裂现象。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 生成 方法 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
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