[发明专利]硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用有效
| 申请号： | 202111074604.7 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113594025B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;贺海东;赵桢 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/54 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 张莉静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用，所述外延生长材料的结构是在P型Si衬底上依次生长SrTiO |
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| 搜索关键词： | 分子 束异质 外延 生长 材料 制备 方法 忆阻器 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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