[发明专利]一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 202111076688.8 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113832547B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 黄青松 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B29/16;C30B1/12;C30B1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法。该非二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构，所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案。本发明首次在二维非范德瓦耳斯晶体材料——二氧化钼表面制备摩尔超晶格结构的制备工艺。在其表面制备出不同扭转扭转错位角度的摩尔超晶格结构。二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构；其可以改变二维非范德瓦尔斯晶体表面的润湿性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 非范德 瓦尔 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学，未经四川大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111076688.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
