[发明专利]一种一步法电化学制备钴单质-石墨烯插层化合物的方法有效
| 申请号： | 202111076773.4 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113830755B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋卷涛;吴福钧;邱建华;郑锋华;黄有国;王红强;李庆余 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C25C1/08 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 杨翼林 |
| 地址： | 541004 广西壮族自治区桂林*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一步法电化学制备钴单质‑石墨烯插层化合物的方法。该方法采用阳极电化学剥离法，首先将六硝基合钴阴离子插入石墨层后发生电化学反应，使得剥落的石墨颗粒悬浮在电解液中并逐渐迁移到阴极发生还原反应，最终将层内的钴离子还原成钴单质。相对于现有技术中的高电压激发等离子体的剥离方式，本发明采用双石墨片替代了贵金属极片，而且使用水系电解液，避免了有机溶剂和离子液体等昂贵的具有污染性的溶液的使用。本发明的酸性环境的电解液可以保持六硝基合钴酸钠阴离子稳定性；阴离子表明活性剂可以增强阴离子润湿性和分散性。本发明剥离条件温和、设备要求低、能耗低、操作简单、剥离时间短，符合绿色化学合成路线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一步法 电化学 制备 单质 石墨 烯插层 化合物 方法 | ||
【主权项】：
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