[发明专利]半导体器件的制备方法及其结构有效
| 申请号： | 202111077008.4 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113903664B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李海滨;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及其结构，该方法包括：在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上由下而上依次外延形成第一薄膜层和第二薄膜层；在第二薄膜层的上表面由下而上依次沉积第一介质层和第二介质层；通过光刻和刻蚀工艺将第二介质层制备为第一结构，第一结构用于制备半导体器件的栅极；以第一结构为掩膜刻蚀第一介质层，并停止在第二薄膜层的上表面以形成源漏区域，源漏区域位于第一结构的两侧，源漏区域用于制备半导体器件的源漏极，从而通过第一结构中的刻蚀后的第二介质层、第一介质层和第二薄膜层形成一个在第一方向上的三明治结构，并通过该三明治结构中各层的厚度关系实现控制或缩小栅极的制备尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
