[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法

摘要

本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。