[发明专利]具有记忆功能的多值电容器在审
| 申请号： | 202111082768.4 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113745004A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈子龙;程传同 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06;H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 钱超 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有记忆功能的多值电容器，包括第一电极、第二电极、相变层、第一多值调控组件和第二多值调控组件，第一多值调控组件包括第三电极和第一调控导体，第二多值调控组件包括第四电极和第二调控导体，第一调控导体和第二调控导体构建多个点位，点位对特定区域进行相变调控，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的等效介电常数，实现对电容值的记忆以及多个电容值的非易失连续可调。本发明一种具有记忆功能的多值电容器，通过点位对相变层上特定区域进行相变调控，实现不同点位的热致相变或者电致相变，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的相变层等效介电常数，实现电容器对电容值的记忆以及电容值的非易失连续可调。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 记忆 功能 电容器 | ||
【主权项】：
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