[发明专利]一种LED外延及其制造方法在审
| 申请号： | 202111085277.5 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113838954A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;吴永胜;解向荣;马野;王孝智;江辉煌 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 唐燕玲 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延及其制造方法，在图形化衬底上制备氮化物缓冲层，并在氮化物缓冲层上生成N型氮化镓层；基于N型氮化镓层交替生成电子阻挡层和量子阱层，得到最底层和最上层均为电子阻挡层的复合式量子阱层；基于复合式量子阱层生成P型氮化镓层，得到LED外延；因此通过在量子阱之间添加电子阻挡层，能够改变每一量子阱层的位错方向，从而减少量子阱层的位错密度；并且能够减少N型氮化镓的电子和P型氮化镓的空穴溢流的情况，减少电子和空穴的无效复合，从而提高电子空穴复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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