[发明专利]高纯锗探测器在审
| 申请号： | 202111085898.3 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113589355A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李玉兰;于海军;李元景 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种高纯锗探测器，包括：探测器本体；探测器壳体，探测器壳体设置在探测器本体的外侧，且与探测器本体间隔开，以形成第一真空腔；制冷组件，制冷组件包括内壳和设置在内壳外侧的外壳，内壳和外壳间隔开以形成第二真空腔，内壳限定出容纳液氮的容纳腔，外壳与探测器壳体固定连接，其中第一真空腔与第二真空腔通过封堵组件间隔。本申请的高纯锗探测器，将制冷组件与高纯锗探测器集成于一体，通过封堵组件将探测器本体的第一真空腔和制冷组件的第二真空腔分隔开，形成两个独立的真空腔室，既可以避免制冷组件内部材料释放的物质污染探测器本体内的核心部件，又可以对两个独立的真空腔室进行单独维护。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111085898.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
