[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置在审
申请号: | 202111088146.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113991010A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 彭彦莉 | 申请(专利权)人: | 彭彦莉 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 726206 陕西省商洛*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及磁场探测领域,具体提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置,二维过渡金属硫属化合物层置于基底层上,导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部,四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上,第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。应用时,将本发明置于待测空间的交变磁场内,通过测量第一电极和第二电极间电流的变化,实现磁场探测。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 过渡 金属 化合物 磁场 探测 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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