[发明专利]一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置在审
申请号: | 202111088819.4 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114032527A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 王怀超;杨然翔;黄琪兵;罗顺松;岳晓 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;H01L33/44 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置,该方法包括:将外延片主体置于反应室中;通过原子层沉积工艺在所述外延片主体上形成钝化层,所述钝化层至少将所述外延片主体的正、侧面覆盖;通过采用原子层沉积工艺制得的外延片的钝化层,具有优异的台阶覆盖特性,对外延片侧壁的包覆效果佳,能够有效减少器件的漏电现象,另一方面,采用原子层沉积工艺制得的钝化层非常致密,具有很好的物理钝化性能,可有效减少载流子的非辐射复合;同时能更好的隔绝环境中的水、氧,器件可靠性测试性能会得到改善,增加器件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 外延 钝化 制备 方法 发光 芯片 显示装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的