[发明专利]一种高纯铝硅靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202111091818.5 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113817994B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜;罗明浩 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/04;B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯铝硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将高纯铝硅靶坯依次进行锻伸、一次热处理、静压、二次热处理、压延以及三次热处理，得到高纯铝硅靶材；所述一次热处理的温度为480‑500℃，时间为10‑20min；所述二次热处理的温度为440‑460℃，时间为10‑20min；所述制备方法通过优化制备工艺，解决了高纯铝硅靶坯内部缺陷的问题，使内部晶粒足够细化均匀，提高了靶材的质量和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 铝硅靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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