[发明专利]基于2T1M的忆阻器编程及读取电路结构和电路编程读取方法在审

专利信息
申请号: 202111097183.X 申请日: 2021-09-18
公开(公告)号: CN113658626A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 张粮;童祎;冀峰;蔚仁伟;王瑞;肖建 申请(专利权)人: 山西职业技术学院
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 徐激波
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种基于2T1M的忆阻器编程及读取电路结构和电路编程读取方法,所述电路结构的基本单元采用相对设置的两个MOS管和忆阻器相连,组成2T1M组件;第一驱动信号组{wl}、第二驱动信号组{wl‑}通过连接栅极进行统一控制;通过设置时钟周期clk和ctrol_information,以及输出脉冲信号Vs、Vd,实现电路中的忆阻器的定向编码、和格式化操作;同时在编程电路中设置读取电路结构,实现对忆阻器编程后信号的读取;本发明还公开了相应的电路编程方法和读取方法,同时提供了相应的电路格式化方法,弥补了由于正反相脉冲刺激导致的忆阻器性能差异,使忆阻器电路在编码过程中具备更高的稳定性。
搜索关键词: 基于 t1m 忆阻器 编程 读取 电路 结构 方法
【主权项】:
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