[发明专利]一种半浮栅器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111097904.7 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948394A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;刘珩;冷江华;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半浮栅器件的制作方法，提供衬底，衬底上设有源区，在有源区中形成N型掺杂深阱；刻蚀N型掺杂深阱形成U型槽；在U型槽中形成第一栅极结构；第一栅极结构包括依附于U型槽内壁的第一栅氧化层以及填充于U型槽中的栅极多晶硅；第一栅极结构与有源区形成接触口；覆盖多晶硅并平坦化；将平坦化后的衬底进光刻和刻蚀定义出有源区之间的STI区；填充STI区并对其进行表面平坦化。本发明通过先完成半浮柵多晶硅的沉积以及平坦化后，再进行有源区的曝光及隔离工艺。有效解决了嵌入式半浮柵工艺对逻辑工艺STI高度的影响，确保半浮柵工艺的隔离与逻辑工艺STI隔离的有效兼容。在现有的28LP/28HK工艺平台基础上开发制造嵌入式半浮柵器件产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半浮栅 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
