[发明专利]FinFET的阈值电压调节方法在审
| 申请号： | 202111097919.3 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948395A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET的阈值电压调节方法，包括：步骤一、提供完成了第零层层间膜的化学机械研磨工艺的半导体衬底，半导体衬底上包括核心区和输入输出区；半导体衬底上形成有鳍体、浅沟槽隔离介质层、第一栅介质层和多晶硅伪栅，在输入输出区中，第一栅介质层直接作为输入输出FinFET的栅介质层；步骤二、将核心区的多晶硅伪栅去除；步骤三、进行阈值电压调节注入；在核心区，阈值电压调节注入穿过鳍体的顶部部分顶部的第一栅介质层；去除第一光刻胶图形，在输入输出区中第一栅介质层被保护；步骤四、对阈值电压调节注入的杂质进行退火激活；步骤五、进行金属栅置换工艺。本发明能避免阈值电压调节注入后对鳍体和输入输出FinFET的栅介质层产生损伤。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 阈值 电压 调节 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
