[发明专利]拆分FinFET的寄生电容的结构和方法在审
| 申请号： | 202111097924.4 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948575A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种拆分FinFET的寄生电容的结构，包括一组第一种测试结构，第一种测试结构的版图结构包括：多个平行排列的鳍体，多个平行排列的栅极结构；各第一种测试结构之间的栅极结构的长度变化；第一种测试结构的单元结构采用第一FinFET单元结构，第一FinFET单元结构的第一阱区和源漏区的掺杂类型相反。第一种测试结构包括两种测试条件，第一和第二种测试条件中分别将栅极接0V和工作电压测试得到第一和第二测试电容。通过第一和第二测试电容得到Cgd0、Cgd、Cch、Cdo、Cnorm1和Cnorm2。本发明公开了一种拆分FinFET的寄生电容的方法。本发明能对FinFET的寄生电容进行拆分，从而能对FinFET的性能做精确分析。 | ||
| 搜索关键词： | 拆分 finfet 寄生 电容 结构 方法 | ||
【主权项】：
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