[发明专利]助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法有效
| 申请号： | 202111101213.X | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113818085B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 司志伟;刘宗亮;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/10;C30B30/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法。所述系统包括助熔剂法氮化物单晶生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述氮化物单晶生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述氮化物单晶生长所需的氮源。本发明实施例提供的一种提升氮源溶解度的助熔剂法氮化物单晶均匀化生长的方法，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升氮化物单晶的生长均匀性以及晶体生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 熔剂 均匀 化生 氮化物 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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