[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统在审
申请号: | 202111105868.4 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN114256263A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 金森宏治;姜信焕;韩智勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11565;H01L27/11582;G11C16/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置包括:衬底;衬底上的堆叠结构,并且堆叠结构包括层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件;第一分离区和第二分离区,其各自延伸穿过堆叠结构并在第一方向上延伸;第一上分离区,第一上分离区在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构的一部分;多个沟道结构,多个沟道结构在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构;以及多个第一竖直结构,每个第一竖直结构延伸穿过第一分离区和第二分离区中的特定一个。第一分离区和第二分离区中的每一个在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度。每个第一竖直结构在第二方向上具有第二宽度,第二宽度大于第一宽度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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