[发明专利]氟硫酸锆二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111107881.3 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113897679B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张弛;姜春波;吴超 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/10;G02F1/355;H01S3/109;H01S5/06 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 许耀 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氟硫酸锆二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用，该晶体材料的化学式为ZrF |
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| 搜索关键词： | 硫酸 锆二阶 非线性 光学 晶体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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