[发明专利]制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置在审
| 申请号： | 202111108832.1 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113903874A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王好伟 | 申请（专利权）人： | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 100176 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了制备QLED器件的方法，QLED器件和显示装置，包括：提供基板，在基板一侧形成图案化层，在图案化层远离基板的一侧形成发光层，自发光层远离图案化层的一侧，对基板上的预设区域进行光照处理，令预设区域内的图案化层的溶解性发生改变，去除基板上非预设区域或预设区域内的图案化层和发光层，以获得QLED器件，其中，形成图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 qled 器件 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-54 .. 材料选择
