[发明专利]一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法在审
| 申请号： | 202111110073.2 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113834527A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 任海;冉立;刘立;蒋华平 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 功率 半导体 结构 及其 内部 压力 在线 测量方法 | ||
【主权项】：
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