[发明专利]一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法

摘要

本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法：构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。在常温储存条件下，引入纳米粒子稳定的有机半导体形貌几乎不会发生变化，保证了以有机半导体薄膜所制备的有机晶体管器件在高温工作环境和实际大气环境中电学性能的稳定。